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Ion Implantation and Synthesis of Materials - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 3642062598

[EAN: 9783642062599], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], DIFFUSION DOPING IMPLANTEDSHALLOWJUNCTIONS IONIMPLANTATION IONRANGES ION-MODIFIEDMATERIALS SLICINGSILICON CRYSTAL DISTRIBU… Altro …

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 3642062598

edizione con copertina rigida

Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 Kartoniert / Broschiert Materialwissenschaft / Aggregatzustände, Teilchen- und Hochenergiephysik, Physikalische Chemie, Elektronische Geräte … Altro …

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Prima edizione

2010

ISBN: 9783642062599

edizione con copertina flessibile

[ED: Kartoniert / Broschiert], [PU: Springer Berlin Heidelberg], Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the basics and c… Altro …

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2010, ISBN: 9783642062599

Mitwirkende: Mayer, James W. Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 280 Seiten, Publiziert: 2010-02-12T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.… Altro …

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2006, ISBN: 9783642062599

Ion Implantation and Synthesis of Materials ab 129.99 € als Taschenbuch: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Physik, Medien > Bücher nein B… Altro …

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Dati bibliografici del miglior libro corrispondente

Dettagli del libro
Ion Implantation and Synthesis of Materials
Autore:
Titolo:
ISBN:

9783642062599


Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

Informazioni dettagliate del libro - Ion Implantation and Synthesis of Materials


EAN (ISBN-13): 9783642062599
ISBN (ISBN-10): 3642062598
Copertina rigida
Copertina flessibile
Anno di pubblicazione: 2010
Editore: Springer Berlin Heidelberg
280 Pagine
Peso: 0,427 kg
Lingua: eng/Englisch

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ISBN/EAN: 9783642062599

ISBN - Stili di scrittura alternativi:
3-642-06259-8, 978-3-642-06259-9
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : michael nastasi, michael mayer, michael may, michael nast, james michael
Titolo del libro: synthesis, ion

Dati dell'editore

Autore: Michael Nastasi; James W. Mayer
Titolo: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Editore: Springer; Springer Berlin
263 Pagine
Anno di pubblicazione: 2010-02-12
Berlin; Heidelberg; DE
Stampato / Fatto in
Lingua: Inglese
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 263 p. 131 illus.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; BB

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras
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