2010, ISBN: 9786131554520

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: Éditions universitaires européennes], L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à cond… Altro …

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: Éditions universitaires européennes], L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques., DE, [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, 308, Selbstabholung und Barzahlung, PayPal, offene Rechnung, Banküberweisung, Internationaler Versand<

2010, ISBN: 6131554528

[EAN: 9786131554520], Nouveau livre, [SC: 20.63], [PU: ED UNIVERSITAIRES EUROPEENNES], TECHNOLOGY & INDUSTRIAL ARTS; LITERARY CRITICISM / GENERAL; ENGINEERING (GENERAL), nach der Bestellu… Altro …

[EAN: 9786131554520], Nouveau livre, [SC: 20.63], [PU: ED UNIVERSITAIRES EUROPEENNES], TECHNOLOGY & INDUSTRIAL ARTS; LITERARY CRITICISM / GENERAL; ENGINEERING (GENERAL), nach der Bestellung gedruckt Neuware -L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. 308 pp. Französisch, Books<

2010, ISBN: 9786131554520

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[ED: Softcover], [PU: Éditions universitaires européennes], L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. 2010. 308 S. Versandfertig in 6-10 Tagen, DE, Neuware, gewerbliches Angebot, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten)<

2018, ISBN: 6131554528

[EAN: 9786131554520], Nouveau livre, [SC: 0.0], [PU: OMNISCRIPTUM, France], Language: French. Brand new Book. L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréqu… Altro …

[EAN: 9786131554520], Nouveau livre, [SC: 0.0], [PU: OMNISCRIPTUM, France], Language: French. Brand new Book. L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques., Books<

2010, ISBN: 6131554528

Kartoniert / Broschiert, mit Schutzumschlag neu, [PU:Editions universitaires europeennes EUE]