ISBN: 9786131595936

[ED: Softcover], [PU: Éditions universitaires européennes], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de… Altro …

[ED: Softcover], [PU: Éditions universitaires européennes], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs. 224 S. 220 mm Versandfertig in 6-10 Tagen, DE, [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, Offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten)<

2012, ISBN: 9786131595936

[ED: Taschenbuch], [PU: Éditions universitaires européennes], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n¿est pas satisfaisant à cause … Altro …

[ED: Taschenbuch], [PU: Éditions universitaires européennes], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n¿est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d¿alimentation VDD requises. Ce travail se propose d¿explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d¿abord, l¿étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d¿une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l¿interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l¿aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de..., DE, Neuware, gewerbliches Angebot, 224, [GW: 352g], Banküberweisung, PayPal, Klarna-Sofortüberweisung, [CT: Sonstiges / Sonstiges]<

ISBN: 9786131595936

Paperback, [PU: Omniscriptum], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité é… Altro …

Paperback, [PU: Omniscriptum], Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs., Electronics Engineering<

2012, ISBN: 6131595933

[EAN: 9786131595936], Neubuch, [PU: Éditions universitaires européennes], TECHNOLOGY & INDUSTRIAL ARTS LITERARY CRITICISM GENERAL ENGINEERING ELECTRONICS TECHNIK ELEKTRONIK ELEKTROTECHN… Altro …

[EAN: 9786131595936], Neubuch, [PU: Éditions universitaires européennes], TECHNOLOGY & INDUSTRIAL ARTS LITERARY CRITICISM GENERAL ENGINEERING ELECTRONICS TECHNIK ELEKTRONIK ELEKTROTECHNIK NACHRICHTENTECHNIK, Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Shi MingAncien élève du Magistère de Physique Fondamentale d\\ Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l\\ Université P, Books<

2012, ISBN: 6131595933

Kartoniert / Broschiert, mit Schutzumschlag 11, [PU:Éditions universitaires européennes]