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Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design / Wladyslaw Grabinski (u. a.) / Taschenbuch / Paperback / XIV / Englisch / 2010 / Springer Netherland / EAN 9789048171484 - Grabinski, Wladyslaw
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Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design / Wladyslaw Grabinski (u. a.) / Taschenbuch / Paperback / XIV / Englisch / 2010 / Springer Netherland / EAN 9789048171484 - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 9789048171484

edizione con copertina rigida

[ED: Taschenbuch], [PU: Springer Netherland], The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variet… Altro …

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Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design Wladyslaw Grabinski Editor - nuovo libro

ISBN: 9789048171484

The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variety of subjects and the high quality of con… Altro …

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Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - edizione con copertina flessibile

2010

ISBN: 9789048171484

Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 308 Seiten, Publiziert: 2010-10-19T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 1.09 kg, Verkaufsrang: 1349635, Elektrotech… Altro …

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2010, ISBN: 9789048171484

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Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - edizione con copertina flessibile

2006, ISBN: 9789048171484

*Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design* - Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 / Taschenbuch für 106.99 € / Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik Medien > Büch… Altro …

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Dati bibliografici del miglior libro corrispondente

Dettagli del libro
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
Autore:
Titolo:
ISBN:

9789048171484


The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variety of subjects and the high quality of content of this volume make it a reference document for researchers and users of MOSFET devices and models. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization. The book will appeal equally to PhD students who want to understand the ins and outs of MOSFETs as well as to modeling designers working in the analog and high-frequency areas.

Informazioni dettagliate del libro - Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design


EAN (ISBN-13): 9789048171484
ISBN (ISBN-10): 9048171482
Copertina rigida
Copertina flessibile
Anno di pubblicazione: 2010
Editore: Springer Netherlands
308 Pagine
Peso: 0,493 kg
Lingua: eng/Englisch

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ISBN/EAN: 9789048171484

ISBN - Stili di scrittura alternativi:
90-481-7148-2, 978-90-481-7148-4
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : grabinski, schreurs, dominique, wladyslaw
Titolo del libro: analog, ana, transistor

Dati dell'editore

Autore: Wladyslaw Grabinski; Bart Nauwelaers; Dominique Schreurs
Titolo: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
Editore: Springer; Springer Netherland
294 Pagine
Anno di pubblicazione: 2010-10-19
Dordrecht; NL
Stampato / Fatto in
Lingua: Inglese
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 294 p.

BC; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Hardware; Leistungsfeldeffekttransistor; MOSFET; Potential; Standard; VHDL; Verilog; analog; field-effect transistor; metal oxide semiconductur field-effect transistor; model; modeling; semiconductor; simulation; transistor; Electronic Circuits and Systems; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Microwaves, RF Engineering and Optical Communications; Electrical and Electronic Engineering; Elektronik; Elektrotechnik; BB; EA

2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures.- PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET model.- EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model.A design-oriented MOS transistor compact model.- Modelling using high-frequency measurements.- Empirical FET models.- Modeling the SOI MOSFET nonlinearities. An empirical approach.- Circuit level RF modeling and design.- On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulations.- Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMS.- Compact modeling in Verilog-A.
Brings together a variety of modeling techniques Treats models as well as methods of implementation Is a true in depth source for MOS-modelers
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